以下のセミナーを開催します.
興味のある方は奮ってご参加ください.
連絡先: 早瀬 (hayase@appi.keio.ac.jp)
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「ハイブリッド量子科学」セミナー
日時：12月7日（水） 14：45～
場所：慶應義塾大学 矢上キャンパス 14棟 DR2
どなたでも参加できます（参加費無料・事前登録不要）．
14：45～15：15
「化合物半導体量子ドットの多重積層構造の作製技術」
情報通信研究機構 赤羽浩一 主任研究員
15：15～15：45
「フォノニック結晶によるフォノン場および輸送制御技術」
東京大学生産技術研究所 野村政宏 准教授
14：45～15：15
「半導体量子ドットの励起子コヒーレンスの物理・制御・応用」
慶應義塾大学 早瀬潤子 准教授
16：30～17：30 総合討論
17：45～18：30 実験室見学
講演概要
「化合物半導体量子ドットの多重積層構造の作製技術」
情報通信研究機構 赤羽浩一 主任研究員
自己形成による半導体量子ドットは真空一貫のプロセスであることから高品質なものを得ることが出来る。InP基板上のInAs量子ドットは光ファイバ通信の波長帯である1550nmの発光が得られることから応用上重要な材料系となる。高密度の量子ドット形成には量子ドットの積層技術が有効であるが、結晶成長の際の歪エネルギーの蓄積が問題となり、結晶品質の劣化が問題となる。本講演ではこの問題を解決するための歪補償技術について解説し、これを利用した光物性測定、光デバイス応用についての研究を紹介する。また、量子ドットへのキャリア注入の新しい構造として、超格子埋め込みのInAs量子ドットの作製方法とその光学特性についても紹介する。
「フォノニック結晶によるフォノン場および輸送制御技術」
東京大学生産技術研究所 野村政宏 准教授
フォノニック結晶は、フォノンに対する人工周期構造であり、その周期性に基づいたフォノンバンドの変更により、状態密度や輸送特性を大幅に制御できる。
本講演では、ハイブリッド量子科学への応用が可能なフォノニック結晶ナノ構造によるフォノン場制御について紹介する。シリコン薄膜に300 nmで周期的円孔配列を設けたフォノニック結晶中を例とし、フォノン場および輸送特性についてのシミュレーション結果を示すことで、どの程度の状態密度と輸送特性の制御が可能かを示す。また、フォノンバンドエンジニアリングによる熱伝導制御についての実験結果を紹介する。
「半導体量子ドットの励起子コヒーレンスの物理・制御・応用」
慶應義塾大学 早瀬潤子 准教授
半導体量子ドット中の励起子は、離散的なエネルギー準位構造をもつことから比較的長いコヒーレンス時間を有することが知られており、量子情報処理・通信への応用が期待されている。
本講演では、フォトンエコー法を用いた量子ドット励起子コヒーレンスの精密評価と位相緩和メカニズムの解明について紹介するとともに、チャープパルスを用いた励起子コヒーレンスの新しい制御法の開発や、フォトンエコー量子インターフェースへの応用可能性について、最近の研究成果を示す。
