中川健君の学部卒業論文の内容が米国科学誌「Applied Physics Letters」に掲載

物理情報工学科卒業生の中川健君(現 理工学研究科 修士課程1年)が卒業研究として実施した内容が5月3日付の米国科学誌「Applied Physics Letters」に掲載されました。中川君は、周波数変調と電圧誘起を利用した新たなトンネル磁気キャパシタンス効果の符号反転現象を世界で初めて発見し、そのメカニズムも明らかにしました。

論文の詳細は下記の通りです。
T. Nakagawa, K. Ogata, Y. Nakayama, G. Xiao, and H. Kaiju:
“Sign Inversion Phenomenon of Voltage-induced Tunnel Magnetocapacitance”
Appl. Phys. Lett. Vol. 118, pp. 182403(1-5) (2021).

また、中川君は、卒業研究が高く評価され、下記の第22回物理情報工学科特別賞も受賞されています(2021年3月23日) 。

左:藤谷洋平主任,右:中川健君
(撮影時のみマスクを外しました)