6.伊藤研独自のSiC半導体移動度解析プログラムを完成・無料配布開始!
今年も国際会議での発表多数! top
伊藤研の学生は今年も国際会議での発表を盛んに行っています．まず，博士2年の加藤治郎が7月16日から20日にかけてドイツのGissenで開催されたICDS(International Conference on Defects in Semiconductors)でポスター発表を行いました．加藤は，会議のYoung Author Awardの最終選考の5人に残りましたが，惜しくの受賞を逃しました．続いて，博士3年の森田健が8月12日から17日にかけてアメリカのNew Hampshire州Hanoverで開催されたPhonons 2001(International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter )で口頭発表を行いました．さらに，修士1年の山田利道が10月28日から11月2日にかけて日本のつくばで開催されたICSCRM(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials)にてポスター発表を行いました．
小島健介 卒論でLabVIEWコンテスト準優秀賞受賞! (2001年10月) top
小島健介のホームページ
2001年度修士1年生の小島健介が日本ナショナルインスツルメンツ株式会社による2001年LabVIEWコンテストにおいて，卒論研究の作品が準優秀賞に選ばれました．受賞した作品は，全自動ホール測定装置系というタイトルで11月1日に行われるNIdays2001という展示会で紹介されました．
mailto:kk@appi.keio.ac.jp
学外の方々の講演を多数開催! top
2001年は多くの方々が国内外から伊藤研を訪問され，特別講義を行って下さいました．発表内容は多岐に渡り，学生にとって大変有意義な時間を過ごすことができました．また，発表された方々のほとんどと伊藤研は共同研究を行っており，講義の後には今後の研究方針を考えるディスカッションも活発に行われました．
4/ 5(Thu) Dr. H. Kim (Argonne国立研究所)「半導体ダイヤモンド中のアクセプター準位」
4/20(Fri) 金田寛氏 (富士通)「Si中の酸素の局在振動」
4/27(Fri) 白木靖寛先生 (東大)「Si/Geヘテロ接合系」
6/22(Fri) 山本喜久先生 (Stanford大)「固体量子コンピューティング」
7/ 3(Tue) Dr. G. Pensl (Erlangen大)「6H-/4H-SiCの作製と評価」
7/ 3(Tue) 長澤弘幸氏 (HOYA R&D)「高品質3C-SiCの作製と評価」
7/ 4(Wed) 加藤雄一郎 (伊藤研OB，UC Santa Barbara)「Ferromagnetic Imprints on Nuclear Spins in Semiconductors」
10/ 5(Fri) Dr. W. Walukiewicz (UC Berkeley)「GaAs/GaN合金のバンドギャップ」
11/ 6(Tue) 岩田一紗臣 (伊藤研OB，Linkoping大)「6H-SiC中のスタッキング・フォルト」
講演される白木先生(4/27)
キム博士がやってきた! (2001年3-5月) top
去る平成13年3月26日〜5月1日の間，米国アルゴン国立研究所のDr.Hyunjung Kimが日本学術振興会招聘研究者として伊藤研に滞在されました．キム博士は，これまでにダイヤモンドの光学特性を明らかにしてきました．ダイヤモンドはこれからの半導体材料として大いに期待されています．キム博士は米国インディアナ州Purdue大学物理学科から博士号を取得し，ラマン分光，遠赤外吸収・透過，フォトルミネッセンスといった光学手法のエキスパートです．我々伊藤研一同，キム博士と交流を通じて，いろいろな研究の方針について話し合いました．
田久賢一郎藤原賞受賞! (2001年3月) top
2000年度修士2年生の田久賢一郎(現在ソニー勤務)が世界初！の28Si同位体単結晶を作製・熱伝導計算の研究で成果を挙げ，藤原賞を受賞しました．
伊藤研独自のSiC半導体移動度解析プログラムを完成・無料配布開始! (2000年11月) top
2000年3月に伊藤研・学部卒の岩田一紗臣が完成したSiC移動度解析プログラムが2000年12月開催の第9回SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会で無料配布されました．JAVAプラットフォームで開発されたため，WindowsでもMacでも簡単に利用できるユーザーフレンドリーなプログラムです．起動して現れるウィンドウにドナー濃度，アクセプタ濃度，SiCのポリタイプ（6H-,4H-など）をインプットするだけで，電子移動度の温度依存性がグラフ化され，数値データもテキストファイルで保存できます．あなたの実験データを読み込み直接比較も可能です．ご要望の方は伊藤研までご連絡ください．