講演(講義)紹介: Simulations of physical phenomena described by partial differential equations, 3/26 (Sat.) & 3/30 (Wed.)

エコールセントラリヨン(ECL, フランス)のFrédéric Gillot准教授の講演(講義)を紹介します.

題目: Simulations of physical phenomena described by partial differential equations

第1回 3/26 (土) 9:00-10:30@14棟2F, ディスカッションルーム3
第2回 3/30 (水) 9:00-10:30@14棟2F, ディスカッションルーム3

物理情報に向いたテーマですので, ご関心の先生方, 学生の皆様は
奮ってご参加ください.

連絡先: 白鳥 (shiratori@appi.keio.ac.jp)


3/31(木) 光科学セミナー(2件)のお知らせ

2016年3月31日(木)に光科学セミナーを開催します.

場所: 14-DR8
【13時30分~】
荒井 慧悟 博士
(Massachusetts Institute of Technology, Harvard Univ., Keio Univ.)
「ダイヤモンド中のNVセンターを用いた磁場イメージング」
ダイヤモンド中の欠陥のひとつであるNVセンターは、磁場測定に利用可能で、室温で高い磁場感度を有する。近年、NVセンターを様々な磁性試料の磁場イメージングに用いる研究が盛んになってきた。本セミナーの前半では、NVセンターに関する基礎的な物理と、磁場イメージングの原理をわかりやすく解説する。後半では、「磁性細菌」という生物試料への具体的な応用例を示し、今後の磁場イメージングの展望を議論する。

【14時50分頃~】
遠藤 傑 君
(慶應義塾大学 理工学研究科,NTT物性科学基礎研究所)
「超伝導磁束量子のスピン増幅と光を用いた読み出し」
現在、超伝導磁束量子ビット(FQ)を集積することにOn-Chip な量子計算(QC) を行う素子をつくるといった方向の研究も多くの研究者によりなされている。QC を行うためには、量子ビットに対し量子非破壊測定(QND)を行えることが必要だが、共鳴なLC共振器やJosephson Bifurcaction Amplifierを用いたQNDは、信号の増幅のための素子が非常に大型になり、集積化に向いていないという欠点がある。そこで、我々はFQのOn-Chip化のための新たな読み出し手法として、スピン増幅と光による新たなFQの読み出し法を提案する。

いずれも先進的なセンシング技術の紹介となります.
奮ってご参加下さい.

問い合わせ先: 早瀬 (hayase@appi.keio.ac.jp)


学位記授与

日吉での卒業式の後,理工学部では学科に分かれて矢上キャンパスで学位記が授与されます.物理情報工学科学科主任的場教授から1名ずつ学位記を授与されました.その後,集合写真を撮影しました._MG_5549_MG_5531

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※大きなサイズの写真は研究室の教員にお問い合わせ下さい.


卒業式

本日は卒業式です.日吉の記念館での式の後,矢上キャンパスで学科に分かれて学位記の授与が行われます.卒業生の皆様,ご家族の皆様,本日はまことにおめでとうございます.
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石榑研 修士1年 戸田帆志彦君,修士2年 古後佑典君が電子情報通信学会 平成27年度光エレクトロニクス研究会 学生優秀研究賞を同時受賞!

石榑研 修士1年の戸田帆志彦君と修士2年の古後佑典君が,平成27年10月開催の光エレクトロニクス(OPE)研究会@大分にて発表した「GI型円形コアマルチモードポリマーテーパ光導波路」,「モスキート法による高密度多段ポリマー光導波路の作製と低クロストーク化」と題するそれぞれの論文 (OPE2015-114,113)に対し,光エレクトロニクス研究会 学生優秀研究賞を受賞しました.授賞式は,3月16日,九州大学にて開催された電子情報通信 学会総合大会内で執り行われました.この学生優秀研究賞は,平成27年5月~平成 28年2月までの期間に開催された研究会に,「OPE研究会」として投稿し,自ら講演 を行った「学生」43名中の3名に授与されました.昨年度の三谷真利奈さんに続いて,2年連続で,しかも2名のダブル受賞となりました!
詳細はこちら→ http://www.ieice.org/~ope/ope/prize/prize2015

 


【追加情報】物理情報系 就職ガイダンス@3/29(火)

学部3年生, 修士1年生の皆様
関係各位

先日のマナー講座で使用されたスライドの一部をkeio.jp内の

修士学生向けには”基礎理工学課題研究(物理情報)”

学部生向けには”物理情報工学演習”

の授業支援ページにアップロードしました. ファイルの閲覧に必要なパスワードは, 3/29(火)の就職ガイダンス時にお知らせします.

(田中, 神原)


物理情報系・就職マナー講座 3/16(水) 18:00

就職マナー講座に関するお知らせです.

以下の日程で物理情報工学系2017年3月卒業・修了予定者を対象とした
就職マナー講座を開催します. 就職を考えている学部3年, 修士1年は必ず出席してください.
また, 大学院進学希望者でも就職の可能性のある人は出席してください. (畑山明聖, 田中敏幸)

日時:3月16日(水), 18:00から
対象:物理情報系の修士1年, 学部3年
講座内容:
1. 就職の心構え (相吉先生)
2. 就職マナー講座 (荒井先生)


第8回 物質探索・設計セミナー (2/26(金))のお知らせ ”交流スピントロニクスの最前線”

【第8回 物質探索・設計セミナー(神原研)のお知らせ】
スピントロニクスと呼ばれる研究分野は, トンネル磁気抵抗(TMR)ヘッドをはじめとして高密度な情報ストレージに必須となった技術をもたらしました.
今回はスピントロニクスの一分野 “磁気電気容量効果”の先駆者である海住英生先生をお招きし最新の研究を中心に講義いただく予定です.
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講演者: 海住 英生 氏
(北海道大学電子科学研究所 准教授)
題目: 交流スピントロニクスの最前線
日時: 2016年2月26日(金) 13:00-14:00
場所: 慶應義塾大学 矢上キャンパス 14棟201号室 (セミナールーム1)
要旨: 電子の電荷とスピンの2つの自由度を利用する「スピントロニクス」は今世紀に入り輝かしい発展を遂げてきた。中でも、強磁性体/絶縁体/強磁性体から構成される強磁性トンネル接合は、室温にて巨大なトンネル磁気抵抗(TMR)効果を示すことから、国内外で盛んに研究が進められてきた。一方で、強磁性トンネル接合は室温にてトンネル磁気キャパシタンス(TMC)効果も示す[1,2]。最近、我々は室温にて150%を超えるTMC比を観測することに成功し、そのメカニズムがDebye-Fröhlichモデルにより説明できることを明らかにした[3]。本モデルによると、更なるTMC比の向上も期待できる。
このような磁場によりキャパシタンスが変化する「磁気キャパシタンス(MC)効果」は、強磁性トンネル接合のみならず、近年盛んに研究が行われているマルチフェロイック材料においても発見されている。最近では、磁気ナノグラニュラー膜[4]、分子スピントロニクス素子[5]、強磁性単電子トランジスタ[6]においても発見されており、MC効果に関連する当該研究分野が急速に発展している。このような観点から他の様々な材料・物質・デバイスにおいても巨大なMC効果が発見される可能性は極めて高く、学術的に広く展開していくものと期待できる。本講演では、このような新たな学際領域である「交流スピントロニクス」について、最近の動向を中心に紹介する。
[1] H. Kaiju et al.: J. Appl. Phys. 91, 7430 (2002).
[2] P. Padhan et al.: Appl. Phys. Lett. 90, 142105 (2007).
[3] H. Kaiju et al.: Appl. Phys. Lett. 107, 132405 (2015).
[4] N. Kobayashi et al.: Nat. Commun. 5, 4417 (2014).
[5] J.-Y. Hong et al.: SPIN 4, 1440015 (2014).
[6] T.-H. Lee et al.: Sci. Rep. 5, 13704 (2015).

*本件の連絡先: 物理情報工学科 神原陽一 (E-mail: kamihara_yoichi@appi.keio.ac.jp)


Dept. Applied Physics and Physico-Informatics